陶瓷绝缘材料——氮化硅的绝缘性

引入：ZS-1091耐高温绝缘涂料：硅酸盐溶液作为成膜物质，加入片状纳米级云母、氧化铝、氮化硅(Si3N4/ SiNx)作为涂料填料。

氮化硅(Si3N4/ SiNx)：

氮化硅是一种由硅和氮组成的共价键化合物，有α、β和γ三种晶型。α-Si3N4为颗粒结晶，β-Si3N4为针状结晶体，两者均属六方晶系。γ相需高温高压合成。

性能:莫氏硬度9~9.5，熔点1900℃（加压下）。热导率为10-30W/m·K，高温1000℃，导热率能到100-150W/m·K。线膨胀系数为2.8~3.2×10-6/℃(20~1000℃)。不溶于水。溶于氢氟酸。抗热震性和抗氧化性能好。电阻率在1015-1016Ω.cm，氮化硅粉体1011~1012Ω.cm。（常见的绝缘材料如聚乙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯等,其电阻率在10^14~10^18Ω·cm之间）

氮化硅具备高击穿电场强度和低介电常数。因此，它常被用作高压绝缘材料和电子器件的绝缘层。它具有较宽的带隙（大约3-6电子伏特），并可通过掺杂来调节其导电性能，因此被视为一种重要的半导体材料。

氮化硅分为富硅氮化硅和富氮氮化硅，前者的带隙一般在2-3ev左右，而富氮氮化硅在4ev以上，纯氮化硅带隙是4.6ev。纯二氧化硅带隙在8ev以上

影响氮化硅带隙的因素（购买原料检测时需注意成分比例）：

1.氮含量：氮含量越高，氮原子与硅原子形成键作用也就越强，导致价带和导带之间能量差距变小

2.氧含量：氧原子与硅原子形成键合作用，会影响氮原子与硅原子形成的键合作用，从而影响氮化硅带隙大小。

3.晶体结构：氮化硅的晶体结构对其带隙大小也有影响。通常，a-Si3N4的带隙比B-Si3N4大

4.制备方法:不同制备方法得到的氮化硅材料中，其晶体结构、氮合量、氧含量等都会有所不同，从而影响其带隙大小.

在化学中，介电常数是溶剂的一个重要性质，它表征溶剂对溶质分子溶剂化以及隔开离子的能力。介电常数大的溶剂，有较大隔开离子的能力，同时也具有较强的溶剂化能力。介电常数随分子偶极矩和可极化性的增大而增大。